IRFZ46NS/IRFZ46NL
1000
TOP
VGS
15V
10V
1000
TOP
VGS
15V
10V
100
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
100
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
10
4.5V
10
4.5V
1
20μs PULSE WIDTH
J
T C = 25°C
A
1
20μs PULSE WIDTH
J
T C = 175°C
A
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
100
T J = 25°C
T J = 175°C
2.5
2.0
1.5
I D = 46A
1.0
10
0.5
V DS = 25V
1
4
5
6
7
20μs PULSE WIDTH
8 9 10
A
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
V GS = 10V
A
80 100 120 140 160 180
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
相关PDF资料
IRFZ48NL MOSFET N-CH 55V 64A TO-262
IRFZ48VSTRLPBF MOSFET N-CH 60V 72A D2PAK
IRL1004STRR MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
IRL1004 MOSFET N-CH 40V 130A TO-220AB
IRL1104STRLPBF MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
IRL1104STRR MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
IRL1104 MOSFET N-CH 40V 104A TO-220AB
IRL2203NSTRR MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
相关代理商/技术参数
IRFZ46NSTRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 53A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 53A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRFZ46NSTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 53A 16.5mOhm 48nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ46NSTRR 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET POWER MOSFET
IRFZ46NSTRRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 53A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRFZ46NSTRRPBF 功能描述:MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFZ46S 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFZ46Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFZ46ZL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 51A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件